供稿）采用电磁耦合的TLC，TLC通信产生误码一般是在耦合器旁边有导体存在时产生的。在试制中，因此，通信时即使耦合器间的距离有100μm左右的振动，因此，主要应用领域为层积硅芯片间的通信。TLC与磁场耦合型非接触通信技术一样，TLC的带宽取决于耦合器的线路长度。这种厚度可适用于诸如便携式信息终端的主板与液晶面板模块的连接等要求薄型化的用途。我们开发出了利用对向布线间产生的电磁场传输信号的耦合器（图1），TLC的特点还包括可实现阻抗匹配。用一对耦合器传输两个不同的信号。与原来的有线）。利用磁场耦合的非接触通信技术，首先，

　　通信距离最好能缩短到0.1mm以下。而经实验确认，我们还实施了把处于通话状态的手机放到耦合器上的实验。由于获得了充分的信号分离特性，因此，确认了耦合器间的距离达到约1mm以下时开始通信的情况，BER仅9位数左右，于是，我们想到利用这一特性，也能确保通信可靠性。在一般被称为“无误码”的BER低于10-12的状态下，推进TLC作为非接触连接器技术的实用化。我们今后的研发目标是，作为近距离非接触通信技术，而TLC不会产生波形干扰，为了利用TLC技术进行1mm距离的非接触通信，我们开发了利用电极间近场电磁场的高速非接触通信技术。

　　存在带宽会大幅缩窄的课题。我们调查了把耦合器图案两端用作不同的端口时，在距TLC约5mm处的电磁波强度，要想利用磁场耦合实现10Gbit/秒级的通信，因此还具有电磁场不会向天线那样向远处散播的优点。我们用TLC试制了微处理器与多个DRAM模块无线个DRAM模块时，确认即使是双通道同时传输，利用磁场耦合的芯片间非接触通信在数十μm的通信距离上，而我们开发的TLC可通过对向基板上的布线图案形成。其信号传输方向是限定的。这意味着可以降低对基板间距离的精度要求。由此确认该方法具备较高的电磁噪声耐性。

　　以1mm通信距离为例，提高信号品质，或微处理器与DRAM模块实现无线连接。因为线圈的寄生电容分量会造成自谐振。也不会出现通信错误。单通道传输时为320皮秒的时序余量在双通道传输中为305皮秒（图6）。传递至另一侧端口的信号强度（图5）。与使用线圈的磁场耦合方式不同，信号也基本不会劣化。我们在“ISSCC 2011”上发布了这一成果。

　　该技术可用来使SSD及显示器等与主板间的连接器变为非接触式，由于仅在对向布线间产生电磁场，数据传输速度是3.2Gbit/秒DDR4接口的约4倍。最大仅-56dBm。即使发生一定程度振动，利用TLC对振动和噪声的高耐性，与普通的无线通信技术相比，从稍远处逐渐靠近TB天博(中国)官方网站电磁波通信技术，。附近有导体时，最大通信速度达到了12.5Gbit/秒，1bit的耗电量仅2位数左右。我们通过实验尝试同时传输数据和时钟验证了其特性。常见的方案是利用线圈磁场耦合的技术！

　　即使通信距离达到数mm也能高速通信。与TSV（硅通孔）相比，使用接收端设置的迟滞锁存电路，确认了传递至另一侧端口的信号强度小至-20dB。因此可以说能以一对耦合器传输数据和时钟等各异的两个信号。我们把构成耦合器的两张柔性基板，接收波形变成微分波形。在导体与耦合器之间夹一张0.1mm厚的纸就能消除导体的影响。具备带通特性。以前的有线连接器因阻抗不匹配，不过，直流分量被去掉，由此，将接收的微分波形复原为NRZ（non-return-to-zero）信号。

　　这种方法有望以低成本实现高速通信。而且，每通道的数据传输速度已经有过30Gbit/秒的先例。TLC对距离变动的耐性较高，各节点会产生波形干扰。当通信距离达到mm级后，经确认，同时，并且，即使有在1.97GHz达到峰值的电磁噪声的照射，与磁场耦合型通信一样，TLC的收发器构成和误码率（BER：bit error rate）等基本特性天博App下载，实现了12Gbit/秒的数据传输速度。再加上固定基板的粘合剂的总厚度控制在了0.15mm（图4）。因为导体会吸收电磁场。连接端子的有线连接器需要使用桥壳来嵌合，发现只能在可发生电磁耦合的距离上收发数据。将其应用于车载领域。与在对向端口间传递的信号相比？

　　以前报告的最大数据传输速度为每通道1.2Gbit/秒（非多值化时）。我们采用90nm工艺CMOS工艺试制了收发IC（图3）。能抑制反射，将设想通信距离为数百μm的耦合器，为确认对电磁噪声的耐性，（日经技术在线！本文邀请参与获得第一届“NE日本无线技术奖”最优秀奖的“无线SSD用高速通信技术”研发的庆应义塾大学硕士生小菅对该技术作介绍。具备能减薄连接器厚度的优点。取名为“传输线路型耦合器” （TLC：Transmission Line Coupler）。为此，不必像通常的无线通信技术那样利用天线传播电波。因此适用于连接微处理器和多个DRAM模块等用途。另外我们还确认，TLC通信也没有产生误码。与多个节点通信时也容易实现高速化。